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重磅!三星宣布3nm成功流片!

發布人:傳感器技術 時間:2021-06-30 來源:工程師 發布文章

6月29日,據外媒最新報道,三星宣布,3nm制程技術已經正式流片! 


據悉,三星的3nm制程采用的是GAA架構,性能上完勝臺積電的3nm FinFET架構!



據報導,三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成的,目的在于加速為GAA 構的生產流程提供高度優化的參考方法。而因為三星的3 nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的 FinFET 的架構,而是采用 GAA 的結構。在此情況下,三星需要新的設計和認證工具,因此采用了新思科技的 Fusion Design Platform。


三星半導體設計技術團隊副總裁 Sangyun Kim 表示,三星半導體是推動下一階段產業創新的核心。所以,三星將藉由不斷進行的技術制程發展,以滿足專業和廣泛市場應用不斷增長的需求。如此,在三星電子最新的、先進的 3 奈米 GAA 結構制程技術上,受惠于與新思科技的廣泛合作,在 Fusion Design Platform 加速準備,以有效達成 3 奈米制程技術的承諾,證明了這些關鍵聯盟的重要性和好處。

報導指出,所謂的 GAA (Gate-all-around ) 架構,是一個周邊環繞著 Gate 的 FinFET 架構。依照專家的觀點,GAA 架構的晶體管能夠提供比 FinFET 更好的靜電特性,可滿足某些柵極寬度的需求。而這主要表現在同等尺寸結構下,GAA 的溝道控制能力得以強化,藉此給予尺寸進一步微縮提供了可能性。相較傳統 FinFET 的溝道僅 3 面被柵極包覆,GAA 若以奈米線溝道設計為例,溝道的整個外輪廓都被柵極完全包裹住,這就代表著柵極對溝道的控制性能就更好。


據了解,3 奈米 GAA 制程技術有兩種架構分類,也就是 3GAAE 和 3GAAP。這是兩款以奈米片的結構設計,在鰭中具有多個橫向帶狀線。這種奈米片設計已被研究機構 IMEC 作為 FinFET 架構后續的產品進行了大量研究,并由 IBM 與三星和格羅方德合作進行了技術發展。


三星指出,這種技術具被高度可制造性。原因是它利用了該公司現有的約 90% 的 FinFET 制造技術予設備,而只需要少量修改過的光罩即可。另外,該制程技術具有出色的柵極可控性,這比三星原本采用的 FinFET 技術高 31%,且因為奈米片信道寬度可通過直接圖像化來改變,這就給設計提供了靈活性。


來源:中國半導體論壇


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關鍵詞: 3nm

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